买卖IC网 >> 产品目录 >> SI5519DU-T1-E3 MOSFET 20V 6.0A 10.4W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI5519DU-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 6.0A 10.4W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 6.0A 10.4W
SI5519DU-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N and P-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 6 A, 4.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 36 mOhms, 64 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK-8 ChipFET Dual
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI5519DU-T1-E3
SI5519DU-T1-GE3
SI-5600D
SI-562A
SI570DBB000105DG
SI570NCA000830DG
供应商
公司名
电话
深圳市翔微电子科技有限公司 0755-23901885 陈铁军
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
深圳市百域芯科技有限公司 400-666-5385 林S
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部 0755-23603360 江先生
  • SI5519DU-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价